三星由于在DRAM方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，在FinFET技術(shù)上也非常先進(jìn)，加上搶下高通的訂單，三星半導(dǎo)體實(shí)力將進(jìn)一步上升，反觀(guān)臺(tái)積電，最近由于英特爾、三星代工的崛起貌似處境不太妙，不過(guò)，技術(shù)的領(lǐng)先，臺(tái)積電沒(méi)有必要過(guò)分擔(dān)憂(yōu)，畢竟，先進(jìn)制程只有我家有，等我賺的盆滿(mǎn)缽滿(mǎn)留給你們點(diǎn)殘羹冷炙也無(wú)關(guān)緊要。

　　消息稱(chēng)，高通主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手聯(lián)發(fā)科一直與臺(tái)積電在28納米和20納米工藝上展開(kāi)合作，將繼續(xù)使用臺(tái)積電的16納米FinFETPlus工藝開(kāi)發(fā)芯片。

　　業(yè)界消息稱(chēng)，高通已經(jīng)將首批FinFET(鰭式場(chǎng)效晶體管)芯片訂單下給了三星電子，而不是業(yè)界普遍認(rèn)為的臺(tái)積電。三星將使用14納米制程工藝生產(chǎn)FinFET芯片，而臺(tái)積電使用的是16納米。消息稱(chēng)，盡管16納米晶粒(Die)尺寸大于14納米，但臺(tái)積電自信可以通過(guò)將芯片生產(chǎn)良品率最大化的方式增加產(chǎn)能，進(jìn)而幫助客戶(hù)降低生產(chǎn)成本。

　　盡管高通的策略是與多個(gè)代工制造商在28納米或更為成熟的工藝上合作，包括臺(tái)積電、三星、Globalfoundries、聯(lián)電、中芯國(guó)際，但消息認(rèn)為高通在FinFET產(chǎn)品開(kāi)發(fā)上沒(méi)有嘗試與臺(tái)積電合作將承受一定風(fēng)險(xiǎn)。FPGA芯片廠(chǎng)商Altera此前曾選擇英特爾開(kāi)發(fā)14納米FinFET產(chǎn)品，但由于英特爾良品率低被迫將訂單轉(zhuǎn)移給了臺(tái)積電。